«Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент «Ангстрем-Т» является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Trench технология позволяет значительно (в 2–3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.
Более низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить тепловое рассеивание на канале.
При этом ячейка имеет меньший в плане размер для обеспечения протекания через канал сопоставимого по значению тока за счет того, что затвор формируется не в плоскости, как в планарных MOSFET, а в объеме — по стенкам V-образной канавки (trench в переводе канава, впрочем можно и как окоп перевести:) ) в подложке.
Это позволяет создавать более энергоэффективную и компактную элементную базу для создания блоков питания и управления электроприборами.
В целом класс Trench MOSFET предназначен коммутации высоких токов при низком напряжении.
Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее $6 млрд в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.
«Ангстрем-Т» — ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130–90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. «Ангстрем–Т» предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий.
Read more
